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FDD1600N10ALZ Especificaciones técnicas

MOSFET N CH 100V 6.8A TO252-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 14.9W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.61nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160 mOhm @ 3.4A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 225pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.8A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDD1600N10ALZ AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 71314
FDD1600N10ALZ ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDD1600N10ALZ MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 581
FDD1600N10ALZD Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2768
FDD1600N10ALZD AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 26575
FDD1600N10ALZD ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDD1600N10AO FAIRCHI CIs Calientes Especializados 675
FDD16AN08A FAI CIs Calientes Especializados 20
FDD16AN08A0 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 19882
FDD16AN08A0 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 77294

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