FDC5614P Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 60V 3A SSOT-6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package SuperSOT™-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105 mOhm @ 3A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 759pF @ 30V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Ta)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDC5612 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 127771
FDC5612 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5290
FDC5612 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDC5612 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 2942
FDC5612-NL FAIRCHI CIs Calientes Especializados 3403
FDC5612P FSC CIs Calientes Especializados 5191
FDC5612P_NL Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 78000
FDC5612_F095 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2766
FDC5612_F095 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2761
FDC5614 Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 14485

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