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FDC2612
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FDC2612 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 200V 1.1A SSOT-6
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | PowerTrench® |
Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | SuperSOT™-6 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 725 mOhm @ 1.1A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 234pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.1A (Ta) |
FDC2612 Documentos
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Otros incluyen "FDC26" partes
Las siguientes partes incluyen 'FDC26'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FDC2612 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 12808 |
FDC2612 | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FDC2612 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 432 |
FDC2612_F095 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2505 |
FDC2612_F095 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2513 |
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