FDB86566_F085 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 176W (Tj)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263AB)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7 mOhm @ 80A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6655pF @ 30V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 110A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDB86102L Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 587
FDB86102LZ Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 27078
FDB86102LZ AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 27078
FDB86102LZ ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDB86102LZ MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 1376
FDB86135 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 22126
FDB86135 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 500
FDB86135 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDB86135 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 17277
FDB86360 FAIRCHI CIs Calientes Especializados 389

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