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FDB6021P Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 20V 28A TO-263AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package D²PAK (TO-263AB)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 14A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -65°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1890pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 37W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 28A (Ta)
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Otros incluyen   "FDB60"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FDB60' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDB6021 Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 60
FDB6021P AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 27352
FDB6021p MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 469
FDB6030 VB CIs Calientes Especializados 5000
FDB6030AL FSC CIs Calientes Especializados 2528
FDB6030AL-M VB CIs Calientes Especializados 5000
FDB6030BL Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 23838
FDB6030BL AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 23838
FDB6030BL MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 5555
FDB6030BL. FAI CIs Calientes Especializados 528

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