FDB12N50UTM_WS Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package D²PAK (TO-263AB)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800 mOhm @ 5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1395pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series FRFET®
Power Dissipation (Max) 165W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDB120N10 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 38738
FDB120N10 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 38738
FDB120N10 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDB120N10 MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 3659
FDB12N50 FAIRCHILD CIs Calientes Especializados 1694
FDB12N50F FAIRCHILD CIs Calientes Especializados 10448
FDB12N50FTM FSC CIs Calientes Especializados 553
FDB12N50FTM-WS AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2552
FDB12N50FTM-WS ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDB12N50FTM_WS Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32363

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