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FDB12N50UTM_WS
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FDB12N50UTM_WS Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Supplier Device Package | D²PAK (TO-263AB) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800 mOhm @ 5A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1395pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | FRFET® |
Power Dissipation (Max) | 165W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
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Otros incluyen "FDB12" partes
Las siguientes partes incluyen 'FDB12'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FDB120N10 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 38738 |
FDB120N10 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 38738 |
FDB120N10 | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FDB120N10 MOS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 3659 |
FDB12N50 | FAIRCHILD | CIs Calientes Especializados | 1694 |
FDB12N50F | FAIRCHILD | CIs Calientes Especializados | 10448 |
FDB12N50FTM | FSC | CIs Calientes Especializados | 553 |
FDB12N50FTM-WS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2552 |
FDB12N50FTM-WS | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FDB12N50FTM_WS | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 32363 |
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