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FDB047N10
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FDB047N10 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | PowerTrench® |
Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 210nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | D²PAK (TO-263AB) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7 mOhm @ 75A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 15265pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
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Hojas de datos
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FDB045AN | FSC | CIs Calientes Especializados | 552 |
FDB045AN08 | FAIRCHILD | CIs Calientes Especializados | 410 |
FDB045AN08A0 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 22610 |
FDB045AN08A0 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5476 |
FDB045AN08A0 | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FDB045AN08A0 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 16930 |
FDB045AN08A0-F085 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 0 |
FDB045AN08A0-F085 | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FDB045AN08A0_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2620 |
FDB045AN08A0_NL | Fairchi | CIs Calientes Especializados | 2532 |
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