FDB047N10 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 375W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 210nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263AB)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7 mOhm @ 75A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 15265pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDB045AN FSC CIs Calientes Especializados 552
FDB045AN08 FAIRCHILD CIs Calientes Especializados 410
FDB045AN08A0 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 22610
FDB045AN08A0 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5476
FDB045AN08A0 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDB045AN08A0 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 16930
FDB045AN08A0-F085 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 0
FDB045AN08A0-F085 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDB045AN08A0_F085 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2620
FDB045AN08A0_NL Fairchi CIs Calientes Especializados 2532

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