FDB035AN06A0_F085 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 22A TO-263AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 310W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 124nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263AB)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5 mOhm @ 80A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6400pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A (Ta)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDB0300N1007L Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2631
FDB0300N1007L AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2757
FDB0300N1007L ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDB031N08 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 34906
FDB031N08 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 34906
FDB031N08 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDB031N08 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 1249
FDB035AN06A0 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 40766
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