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FDAF59N30 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 300V 34A TO-3PF

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-3PF
Rds On (Max) @ Id, Vgs 56 mOhm @ 17A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4670pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 300V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series UniFET™
Power Dissipation (Max) 161W (Tc)
Package / Case SC-94
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 34A (Tc)
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Otros incluyen   "FDAF5"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FDAF5' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDAF59N25 Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 476
FDAF59N30 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 8195

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