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FCP9N60N
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FCP9N60N Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 600V 9A TO220
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | SuperMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 83.3W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | TO-220-3 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 385 mOhm @ 4.5A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1240pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
FCP9N60N Documentos
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Hojas de datos
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Otros incluyen "FCP9N" partes
Las siguientes partes incluyen 'FCP9N'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FCP9N60C | KERSEMI | CIs Calientes Especializados | 2758 |
FCP9N60N | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 36619 |
FCP9N60N | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FCP9N60N-F102 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 0 |
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