FCP220N80 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 800V 23A

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 2.3mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SuperFET® II
Power Dissipation (Max) 278W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 105nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-220
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220 mOhm @ 11.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4560pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FCP220N80 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3228
FCP220N80 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FCP22E-10K SAKAE CIs Calientes Especializados 1327
FCP22N60N AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 40433
FCP22N60N Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 40433
FCP22N60N ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FCP22N60N MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 369
FCP22N60N-F102 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 0

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