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FCP20N60 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 20A TO-220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SuperFET™
Power Dissipation (Max) 208W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 98nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3080pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FCP20N60 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32832
FCP20N60 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FCP20N60 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 278
FCP20N60/FCA220N60 Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 10456
FCP20N60FS Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2622
FCP20N60FS AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2699
FCP20N60_F080 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 0
FCP20N60_F080 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2640
FCP20N60_G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2513

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