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FCP190N60E
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FCP190N60E Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 600V TO220-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Supplier Device Package | TO-220 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 10A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3175pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | SuperFET® II |
Power Dissipation (Max) | 208W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 82nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20.6A (Tc) |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "FCP19" partes
Las siguientes partes incluyen 'FCP19'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FCP190N60 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 29969 |
FCP190N60 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 29969 |
FCP190N60 | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FCP190N60 IC | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 619 |
FCP190N60 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 444 |
FCP190N60-GF102 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2727 |
FCP190N60-GF102 | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FCP190N60E | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 23034 |
FCP190N60E | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FCP190N60_GF102 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 32901 |
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