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FCH125N60E Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 29A TO247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SuperFET® II
Power Dissipation (Max) 278W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-247
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125 mOhm @ 14.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2990pF @ 380V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 29A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FCH125N60E AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2588
FCH125N60E ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FCH125N65S3R0-F155 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2578
FCH125N65S3R0-F155 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales

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