BDW23BTU Especificaciones técnicas

TRANS NPN 80V 6A TO-220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Transistor Type NPN
Power - Max 50W
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 750 @ 2A, 3V
Current - Collector (Ic) (Max) 6A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 60mA, 6A
Supplier Device Package TO-220
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500µA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BDW23-S Bourns, Inc. Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2533
BDW23A-S Bourns, Inc. Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2619
BDW23A-S Bourns Inc. Transistores BJT individuales
BDW23ATU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2615
BDW23ATU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2680
BDW23ATU ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BDW23BTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2555
BDW23BTU ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BDW23C ST CIs Calientes Especializados 2572
BDW23C-S Bourns, Inc. Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2587

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