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BD682S Especificaciones técnicas

TRANS PNP DARL 100V 4A TO-126

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Transistor Type PNP - Darlington
Power - Max 14W
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 750 @ 1.5A, 3V
Current - Collector (Ic) (Max) 4A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2.5V @ 30mA, 1.5A
Supplier Device Package TO-126
Packaging Bulk
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500µA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BD682 STMicroelectronics Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 5254
BD682 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 127857
BD682 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BD682/SOT-89 UTG CIs Calientes Especializados 2568
BD6824P ST CIs Calientes Especializados 312
BD682G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 11788
BD682G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BD682S AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 0
BD682S ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BD682STU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 3408

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