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BD536J
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BD536J Especificaciones técnicas
TRANS PNP 60V 8A TO-220
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Transistor Type | PNP |
Power - Max | 50W |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 2A, 2V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 8A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 800mV @ 600mA, 6A |
Supplier Device Package | TO-220 |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 12MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA |
BD536J Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para BD536J
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Hojas de datos
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Otros incluyen "BD536" partes
Las siguientes partes incluyen 'BD536'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
BD536 | STMicroelectronics | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2745 |
BD5360FVE-TR | LAPIS Semiconductor | PMIC - Supervisores | 2599 |
BD5360G-TR | LAPIS Semiconductor | PMIC - Supervisores | 2742 |
BD536J | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 0 |
BD536J | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales |
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