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BD442S Especificaciones técnicas

TRANS PNP 80V 4A TO-126

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Transistor Type PNP
Power - Max 36W
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 500mA, 1V
Current - Collector (Ic) (Max) 4A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 800mV @ 200mA, 2A
Supplier Device Package TO-126
Packaging Bulk
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 3MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BD442 STMicroelectronics Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 28202
BD442 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2622
BD442 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
BD442 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BD442G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 1548
BD442G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BD442S AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2576
BD442S ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BD442STU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2558
BD442STU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2708

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