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BC849BMTF Especificaciones técnicas

TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Transistor Type NPN
Power - Max 310mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA
Supplier Device Package SOT-23-3
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 300MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BC849 ST CIs Calientes Especializados 27268
BC849-B-RTK KEC CIs Calientes Especializados 81341
BC849-C-MTF SAMSUNG CIs Calientes Especializados 15309
BC849AMTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 36200
BC849AMTF Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 9326
BC849AMTF ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BC849AW RFG TSC (Taiwan Semiconductor) Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2654
BC849B NXP CIs Calientes Especializados 49400
BC849B E6327 INFINEON CIs Calientes Especializados 3000
BC849B,215 Nexperia Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 3000

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