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BC638 Especificaciones técnicas

TRANS PNP 60V 1A TO-92

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Transistor Type PNP
Power - Max 1W
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 150mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Supplier Device Package TO-92-3
Packaging Bulk
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 100MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BC638 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 10340
BC638 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
BC638 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BC638+126 NXP CIs Calientes Especializados 951
BC638,112 NXP Semiconductors / Freescale Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2714
BC638,116 NXP Semiconductors / Freescale Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2747
BC638,126 NXP Semiconductors / Freescale Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2721
BC638-16 PH CIs Calientes Especializados 10423
BC638BU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2687
BC638BU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2641

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