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BC635_D75Z Especificaciones técnicas

TRANS NPN 45V 1A TO-92

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Transistor Type NPN
Power - Max 1W
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 150mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Supplier Device Package TO-92-3
Packaging Tape & Box (TB)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 100MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BC635 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 16105
BC635 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 16105
BC635 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BC635,112 NXP Semiconductors / Freescale Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2760
BC635,116 NXP Semiconductors / Freescale Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2555
BC635-16,126 NXP Semiconductors / Freescale Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2624
BC635RL1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2731
BC635RL1 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BC635RL1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2731
BC635RL1G ON Semiconductor Transistores BJT individuales

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