BC549B_J35Z Especificaciones técnicas

TRANS NPN 30V 0.1A TO-92

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Transistor Type NPN
Power - Max 500mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA
Supplier Device Package TO-92-3
Packaging Bulk
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 300MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BC549 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2960
BC549 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 12329
BC549-B QG CIs Calientes Especializados 36921
BC549-C QG CIs Calientes Especializados 36921
BC549-C-AT/P KEC CIs Calientes Especializados 742
BC549A A1G TSC (Taiwan Semiconductor) Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2519
BC549A B1G TSC (Taiwan Semiconductor) Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2584
BC549A B1G Taiwan Semiconductor Corporation Transistores BJT individuales
BC549ABU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2790
BC549ABU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2600

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