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2N5961
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2N5961 Especificaciones técnicas
TRANS NPN 60V 0.1A TO-92
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 625mW |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 10mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 500µA, 10mA |
Supplier Device Package | TO-92-3 |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 2nA (ICBO) |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "2N596" partes
Las siguientes partes incluyen '2N596'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
2N5961 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2959 |
2N5961_D27Z | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2501 |
2N5961_D27Z | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2559 |
2N5962 | Central Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2534 |
2N5962 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 0 |
2N5962 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2697 |
2N5962 | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
2N5962_D26Z | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2631 |
2N5962_D26Z | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2778 |
2N5962_D74Z | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2534 |
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