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2N5401CTA Especificaciones técnicas

TRANS PNP 150V 0.6A TO-92

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 150V
Transistor Type PNP
Power - Max 625mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 600mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA
Supplier Device Package TO-92-3
Packaging Tape & Box (TB)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 400MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
2N5400 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 62869
2N5400 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 1204
2N5400 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
2N5400G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2692
2N5400G Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
2N5400G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
2N5400RA Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2604
2N5400RA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2615
2N5400RA Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
2N5400RLRP AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2627

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