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2N5210TA
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2N5210TA Especificaciones técnicas
TRANS NPN 50V 0.1A TO-92
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 625mW |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 100µA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 1mA, 10mA |
Supplier Device Package | TO-92-3 |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 30MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "2N521" partes
Las siguientes partes incluyen '2N521'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
2N5210 | Central Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 5203 |
2N5210BU | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2732 |
2N5210BU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 0 |
2N5210BU | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
2N5210NMBU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2623 |
2N5210NMBU | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2512 |
2N5210TA | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 275 |
2N5210TA | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
2N5210TA IC | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 22228 |
2N5210TAR | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2513 |
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