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VS-GT400TH60N Especificaciones técnicas

IGBT 600V 530A 1600W DIAP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Módulos
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Supplier Device Package Double INT-A-PAK
Package / Case Double INT-A-PAK (3 + 8)
Operating Temperature 175°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Manufacturer Standard Lead Time 38 Weeks
Input Capacitance (Cies) @ Vce 30.8nF @ 30V
IGBT Type Trench
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
Configuration Half Bridge
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 400A
Power - Max 1600W
Other Names VSGT400TH60N
NTC Thermistor No
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Input Standard
Detailed Description IGBT Module Trench Half Bridge 600V 530A 1600W Chassis Mount Double INT-A-PAK
Current - Collector (Ic) (Max) 530A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
VS-GT100DA120U Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - IGBTs - Módulos 0
VS-GT100DA120U Vishay / Semiconductor - Diodes Division Transistores - IGBTs - Módulos 2716
VS-GT100DA120U Vishay Semiconductor Diodes Division Módulos IGBT
VS-GT100DA120UF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - IGBTs - Módulos 2536
VS-GT100DA120UF Vishay Semiconductor Diodes Division Módulos IGBT
VS-GT100DA60U Vishay / Semiconductor - Diodes Division Transistores - IGBTs - Módulos 2615
VS-GT100DA60U Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - IGBTs - Módulos 2530
VS-GT100DA60U Vishay Semiconductor Diodes Division Módulos IGBT
VS-GT100LA120UX Vishay / Semiconductor - Diodes Division Transistores - IGBTs - Módulos 2637
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