SUM65N20-30-E3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 200V 65A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5100pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 200V 65A (Tc) 3.75W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-263 (D2Pak)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 30A, 10V
Packaging Original-Reel®
Other Names SUM65N20-30-E3DKR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 65A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SUM65N20-30 VISHAY CIs Calientes Especializados 25313
SUM65N20-30 MOS Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 7022
SUM65N20-30-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2261
SUM65N20-30-E3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
SUM65N20-30-E3 IC Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 1044
SUM65N20-30-E3 MOS Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 477
SUM65P04-15 Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 2938

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