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SUD19N20-90-E3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 200V 19A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 136W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Detailed Description N-Channel 200V 19A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 5A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names SUD19N20-90-E3CT
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A (Tc)
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Las siguientes partes incluyen  'SUD19' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SUD19N20 V CIs Calientes Especializados 42363
SUD19N20-90 VISHAY CIs Calientes Especializados 10243
SUD19N20-90 MOS Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 15589
SUD19N20-90-E2 VISHAY CIs Calientes Especializados 2699
SUD19N20-90-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 6388
SUD19N20-90-E3 MOS Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 2907
SUD19N20-90-T4-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 7589
SUD19N20-90-T4-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5370
SUD19N20-90-T4-E3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
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