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SQSA80ENW-T1_GE3
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SQSA80ENW-T1_GE3 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 80V 18A POWERPAK1212
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 62.5W (Tc) |
Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1358pF @ 40V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Detailed Description | N-Channel 80V 18A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 10A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | SQSA80ENW-T1_GE3TR |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para SQSA80ENW-T1_GE3
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Hojas de datos
SQSA80ENW-T1_GE3.pdf
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SQSA80ENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET individuales |
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