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SQ4961EY-T1_GE3
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SQ4961EY-T1_GE3 Especificaciones técnicas
MOSFET DUAL P-CHAN 60V SO8
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
Power - Max | 3.3W |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1140pF @ 25V |
FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.4A (Tc) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | 8-SO |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 3.5A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | SQ4961EY-T1_GE3TR |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
FET Feature | Standard |
Detailed Description | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 4.4A (Tc) 3.3W Surface Mount 8-SO |
SQ4961EY-T1_GE3 Documentos
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Hojas de datos
SQ4961EY-T1_GE3.pdf
Otros incluyen "SQ496" partes
Las siguientes partes incluyen 'SQ496'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SQ4961EY-T1 | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 474 |
SQ4961EY-T1-GE3 | V | CIs Calientes Especializados | 57203 |
SQ4961EY-T1-GE3 MOS | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 14282 |
SQ4961EY-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 5429 |
SQ4961EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Matrices de transistores MOSFETs |
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