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SQ4435EY-T1_GE3
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SQ4435EY-T1_GE3 Especificaciones técnicas
MOSFET P-CHANNEL 30V 15A 8SOIC
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 8A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2170pF @ 15V |
FET Type | P-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Detailed Description | P-Channel 30V 15A (Tc) 6.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | 8-SOIC |
Power Dissipation (Max) | 6.8W (Tc) |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
SQ4435EY-T1_GE3 Documentos
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Hojas de datos
SQ4435EY-T1_GE3.pdf
Otros incluyen "SQ443" partes
Las siguientes partes incluyen 'SQ443'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SQ4431EY | VISHAY | CIs Calientes Especializados | 5889 |
SQ4431EY-T1-GE3 | V | CIs Calientes Especializados | 17902 |
SQ4431EY-T1-GE3 MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 18948 |
SQ4431EY-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2651 |
SQ4431EY-T1_GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2718 |
SQ4431EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET individuales | |
SQ4435EY | VISHAY | CIs Calientes Especializados | 5889 |
SQ4435EY-T1-GE3 | V | CIs Calientes Especializados | 10402 |
SQ4435EY-T1-GE3 MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 16244 |
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