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SIZ350DT-T1-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Series TrenchFET® Gen IV
Power - Max 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Package / Case 8-PowerWDFN
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20.3nC @ 10V
FET Feature Standard
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 18.5A (Ta), 30A (Tc) 3.7W (Ta), 16.7W (Tc) Surface Mount 8-Power33 (3x3)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-Power33 (3x3)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.75 mOhm @ 15A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names SIZ350DT-T1-GE3CT
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 32 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 940pF @ 15V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18.5A (Ta), 30A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SIZ350DT-T1-GE3 Vishay Siliconix Matrices de transistores MOSFETs

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SIZ350DT-T1-GE3 fabricantes de marca: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip existencias, SIZ350DT-T1-GE3 precio de referencia. SIZ350DT-T1-GE3 parámetros, SIZ350DT-T1-GE3 Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el SIZ350DT-T1-GE3 Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar SIZ350DT-T1-GE3 diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, SIZ350DT-T1-GE3 tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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