SISS40DN-T1-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series ThunderFET®
Power Dissipation (Max) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Package / Case 8-PowerVDFN
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 845pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Detailed Description N-Channel 100V 36.5A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SISS40DN-T1-GE3TR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 36.5A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SISS40DN Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 487
SISS40DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2661
SISS40DN-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
SISS42DN-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 9217
SISS46DN-T1-GE3 Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 5387

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