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SISS40DN-T1-GE3
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SISS40DN-T1-GE3 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | ThunderFET® |
Power Dissipation (Max) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
Package / Case | 8-PowerVDFN |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 845pF @ 50V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Detailed Description | N-Channel 100V 36.5A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 10A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | SISS40DN-T1-GE3TR |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 36.5A (Tc) |
SISS40DN-T1-GE3 Documentos
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'SISS4'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SISS40DN | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 487 |
SISS40DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2661 |
SISS40DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET individuales | |
SISS42DN-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 9217 |
SISS46DN-T1-GE3 | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 5387 |
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