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SISH402DN-T1-GE3
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SISH402DN-T1-GE3 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
Package / Case | PowerPAK® 1212-8SH |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Ta), 35A (Tc) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8SH |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 19A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | SISH402DN-T1-GE3TR |
Mounting Type | Surface Mount |
Manufacturer Standard Lead Time | 27 Weeks |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 15V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Detailed Description | N-Channel 30V 19A (Ta), 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH |
SISH402DN-T1-GE3 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para SISH402DN-T1-GE3
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Hojas de datos
SISH402DN-T1-GE3.pdf
Otros incluyen "SISH4" partes
Las siguientes partes incluyen 'SISH4'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SISH410DN-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 9251 |
SISH434DN-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3245 |
SISH472DN-T1-GE3 | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 9374 |
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