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SIRA80DP-T1-RE3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK SO-8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET® Gen IV
Power Dissipation (Max) 104W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 188nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +20V, -16V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.62 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names SIRA80DP-T1-RE3CT
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 32 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9530pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 30V 100A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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Otros incluyen   "SIRA8"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SIRA8' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SIRA84DP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2617
SIRA84DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
SIRA88DP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3064
SIRA88DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 8442
SIRA88DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales

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