SIR800DP-T1-RE3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 20V 50A POWERPAKSO-8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET® Gen III
Power Dissipation (Max) 69W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 133nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±12V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3 mOhm @ 15A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5125pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 20V 50A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SIR800ADP-T1-GE3 Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 9605
SIR800DP VB CIs Calientes Especializados 2356
SiR800DP-T1-E3 VISHAY CIs Calientes Especializados 13692
SIR800DP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 35059
SIR800DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 35059
SIR800DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
SIR800DP-T1-GE3 MOS Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 810
SiR802DP-T1-E3 VISHAY CIs Calientes Especializados 33288
SIR802DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 13496
SIR802DP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 20687

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