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SIR616DP-T1-GE3
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SIR616DP-T1-GE3 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 200V 20.2A SO-8
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | ThunderFET® |
Power Dissipation (Max) | 52W (Tc) |
Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1450pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
Detailed Description | N-Channel 200V 20.2A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50.5 mOhm @ 10A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | SIR616DP-T1-GE3TR |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 7.5V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20.2A (Tc) |
SIR616DP-T1-GE3 Documentos
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Hojas de datos
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Otros incluyen "SIR61" partes
Las siguientes partes incluyen 'SIR61'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SIR610DP-T1-RE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2679 |
SIR610DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET individuales | |
SIR616DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2798 |
SIR618DP-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2746 |
SIR618DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5805 |
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