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SIR482DP-T1-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 5W (Ta), 27.7W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.6 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1575pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 30V 35A (Tc) 5W (Ta), 27.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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Otros incluyen   "SIR48"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SIR48' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SIR482DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 10050
SiR484DP-T1-E3 VISHAY CIs Calientes Especializados 18813
SIR484DP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 41862
SIR484DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 12802
SIR484DP-T1-GE3 MOS Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 318

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