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SIJH440E-T1-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET® Gen IV
Power Dissipation (Max) 158W (Tc)
Package / Case 8-PowerTDFN
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 20330pF @ 20V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 40V 200A (Tc) 158W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +20V, -16V
Supplier Device Package PowerPAK® 8 x 8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.96 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Original-Reel®
Other Names SIJH440E-T1-GE3DKR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 195nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200A (Tc)
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SIJH440E-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2697

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SIJH440E-T1-GE3 fabricantes de marca: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip existencias, SIJH440E-T1-GE3 precio de referencia. SIJH440E-T1-GE3 parámetros, SIJH440E-T1-GE3 Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el SIJH440E-T1-GE3 Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar SIJH440E-T1-GE3 diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, SIJH440E-T1-GE3 tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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