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SIHU4N80E-GE3
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SIHU4N80E-GE3 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CHAN 800V TO-251
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | E |
Power Dissipation (Max) | 69W (Tc) |
Package / Case | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
Mounting Type | Through Hole |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.3A (Tc) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | IPAK (TO-251) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.27 Ohm @ 2A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 622pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Detailed Description | N-Channel 800V 4.3A (Tc) 69W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251) |
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