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SIHP33N60EF-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 33A TO-220-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 98 mOhm @ 16.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3454pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 600V 33A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-220AB
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220AB
Power Dissipation (Max) 278W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 155nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 33A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SIHP30N60AEL-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2598
SiHP30N60E Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 17
SIHP30N60E-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5144
SIHP30N60E-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 386
SIHP30N60E-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 7169
SIHP30N60E-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 7169
SIHP33N60E VISYA CIs Calientes Especializados 13430
SIHP33N60E-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 7885
SIHP33N60E-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 7885
SIHP33N60E-GE3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales

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