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SIHP14N50D-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 500V 14A TO-200AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 7A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220AB
Power Dissipation (Max) 208W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 18 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1144pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 500V 14A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220AB
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Otros incluyen   "SIHP1"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SIHP1' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SIHP10N40D VISHAY CIs Calientes Especializados 10309
SIHP10N40D-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2546
SIHP10N40D-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2534
SIHP10N40D-E3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
SIHP10N40D-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2503
SIHP10N40D-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2585
SIHP10N40D-GE3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
SIHP11N80E Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 20
SIHP11N80E-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2680
SIHP11N80E-GE3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales

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