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SIHJ7N65E-T1-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 598 mOhm @ 3.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SIHJ7N65E-T1-GE3TR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.9A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Power Dissipation (Max) 96W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 820pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 650V 7.9A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SIHJ7N65E-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2575
SIHJ7N65E-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales

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SIHJ7N65E-T1-GE3 fabricantes de marca: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip existencias, SIHJ7N65E-T1-GE3 precio de referencia. SIHJ7N65E-T1-GE3 parámetros, SIHJ7N65E-T1-GE3 Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el SIHJ7N65E-T1-GE3 Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar SIHJ7N65E-T1-GE3 diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, SIHJ7N65E-T1-GE3 tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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