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SIHJ6N65E-T1-GE3
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SIHJ6N65E-T1-GE3 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 868 mOhm @ 3A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | SIHJ6N65E-T1-GE3TR |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.6A (Tc) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
Power Dissipation (Max) | 74W (Tc) |
Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 596pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Detailed Description | N-Channel 650V 5.6A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SIHJ6N65E-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2640 |
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