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SIHFS9N60A-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 9.2A TO263

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750 mOhm @ 5.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Manufacturer Standard Lead Time 18 Weeks
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 49nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.2A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-263 (D²Pak)
Power Dissipation (Max) 170W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 600V 9.2A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
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Otros incluyen   "SIHFS"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SIHFS' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SiHFS11N50A Vishay CIs Calientes Especializados 29296
SIHFS11N50A-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2799
SiHFS9N60A Vishay CIs Calientes Especializados 22970
SiHFSL11N50A Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 32363

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