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SIHD14N60E-GE3
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SIHD14N60E-GE3 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CHANNEL 600V 13A DPAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | E |
Power Dissipation (Max) | 147W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | D-PAK (TO-252AA) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 309 mOhm @ 7A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1205pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Detailed Description | N-Channel 600V 13A (Tc) 147W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA) |
SIHD14N60E-GE3 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para SIHD14N60E-GE3
-
Hojas de datos
SIHD14N60E-GE3.pdf
Otros incluyen "SIHD1" partes
Las siguientes partes incluyen 'SIHD1'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SIHD12N50E-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2566 |
SIHD12N50E-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2614 |
SIHD14N60E-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2744 |
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