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SIHB12N60ET5-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 12A TO263

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series E
Power Dissipation (Max) 147W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-263 (D²Pak)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 6A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 937pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 600V 12A (Tc) 147W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SIHB10N40D-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2767
SIHB10N40D-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2661
SiHB12N50C Vishay CIs Calientes Especializados 18807
SIHB12N50C-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 521
SIHB12N50C-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 37798
SIHB12N50E Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 32363
SIHB12N50E-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2540
SIHB12N50E-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2678
SIHB12N50E-GE3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
SIHB12N60E VISHAY CIs Calientes Especializados 32363

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