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SIHA6N65E-E3
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SIHA6N65E-E3 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CHANNEL 650V 7A TO220
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | E |
Power Dissipation (Max) | 31W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
Mounting Type | Through Hole |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | TO-220 Full Pack |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 3A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1640pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Detailed Description | N-Channel 650V 7A (Tc) 31W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "SIHA6" partes
Las siguientes partes incluyen 'SIHA6'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SIHA6N65E-E3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2581 |
SIHA6N80E-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2540 |
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