SIHA22N60AEL-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CHAN 600V

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series EL
Power Dissipation (Max) 35W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1757pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 600V 21A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220 Full Pack
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 11A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SIHA22N60AEL-GE3TR
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 82nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SIHA20N50E-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 795
SIHA20N50E-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 317
SIHA20N50E-E3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
SIHA21N60EF-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1429
SIHA21N60EF-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1242
SIHA21N60EF-E3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
SIHA21N65EF-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 643
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