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SIE854DF-T1-GE3
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SIE854DF-T1-GE3 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 100V 60A POLARPAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
Package / Case | 10-PolarPAK® (L) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3100pF @ 50V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Detailed Description | N-Channel 100V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | 10-PolarPAK® (L) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.2 mOhm @ 13.2A, 10V |
Packaging | Original-Reel® |
Other Names | SIE854DF-T1-GE3DKR |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para SIE854DF-T1-GE3
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Hojas de datos
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Otros incluyen "SIE85" partes
Las siguientes partes incluyen 'SIE85'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SIE854DF-T1-E3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2604 |
SIE854DF-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2765 |
SIE854DF-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2703 |
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